تک کریستال Si تشکیل شده روی لایه آمورف در دمای پایین

Single-crystal Si formed on amorphous substrate at

low temperature by nanopatterning and

nickel-induced lateral crystallization

تک کریستال Si تشکیل شده روی لایه آمورف در دمای پایین

ABSTRACT

Silicon-based thin film transistors ~TFTs! on an amor- phous substrate have many important applications, including active matrix liquid-crystal display ~AMLCD! and future 3-dimensional ~3D! integrated circuits. However, silicon films deposited on amorphous substrate are typically in amorphous, microcrystalline, or polycrystalline states, which contain tremendous intrinsic defects, resulting in poor device performance and device-to-device nonuniformity. A single- crystal silicon film on amorphous substrate is highly desired but is difficult to achieve because single-crystal silicon can- not grow epitaxially on an amorphous substrate. Low tem- perature is also desired to lower the manufacturing cost and ensure the circuit integration.

   

 جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .

چکیده

ترانزیستورهای فیلم نازک بر پایه سیلیکون (TFTها) زیرلایه های آمورفی هستند که نقش های زیادی دارند، که شامل نمایشگر کریستال مایع ماتریس فعال  (AMLCD) و مدارات مجتمع سه بعدی هستند. البته فیلم های سیلیکونی رسوب کرده بر روی زیرلایه آمورف معمولاً در حالت های آمورف، میکروکریستالین، و پلی کریستالین هستند. یک فیلم تک کریستال سیلیکونی بر روی زیرلایه آمورف به شدت مطلوب است، اما رسیدن به آن مشکل است زیرا سیلیکون تک کریستال نمی تواند به طور همبافته بر روی زیرلایه آمورف رشد کند. دمای کم نیز به منظور کاهش هزینه ساخت مطلوب تر است.