شناسایی ساختار و انتقال بار لایه های گرافن

Structural and charge transport characteristics of graphene layers

obtained from CVD thin film and bulk graphite materials

شناسایی ساختار و انتقال بار لایه های گرافن حاصل از لایه نازک CVD و مواد گرافیتی

ABSTRACT

We report an experimental comparative study of graphene layers produced by micromechanical cleavage of bulk graphite materials of different origins and graphite films obtained by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Structural characteristics of these materials were evaluated using Raman spectroscopy and electron microscopy. Field effect transistors (FETs) based on the PECVD graphene were produced using electron beam lithography. Conductivity, carrier mobility and other characteristics of the PECVD graphene obtained from Raman and FET tests were similar to the properties of graphene flakes obtained from bulk graphite materials. Taking into account the scalability of the CVD fabrication, these results confirm the possible industrial use of graphene films obtained by this method.

 جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .

 

 

چکیده

ما نتیجه مطالعات آزمایشی روی لایه های گرافن تولید شده به روش تورق میکرومکانیکیِ مواد گرافیت بالک از منابع مختلف و لایه های گرافیت بدست آمده از رسوب نشانی شیمیایی بخار تقویت شده با پلاسما (PECVD) را گزارش کردیم. مشخصات ساختاری این مواد با استفاده از طیف سنج Raman و میکروسکوپ الکترونی مورد بررسی قرار گرفت. ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) مبتنی بر گرافن های PECVD با استفاده از لیتوگرافی باریکه الکترونی تولید شد. هدایت، موبیلیته حامل ها و دیگر شاخصه های گرافن های PECVD به دست آمده از آزمون های FET و Raman، با خواص ورق های گرافن حاصل از مواد گرافیت بالک، مشابه بود. با توجه به قابلیت تغییر مقیاس ساخت به روش CVD، این نتایج امکان استفاده صنعتی لایه های گرافن بدست آمده از این روش را تأیید می کند.