رسوب دهی لیزر پالسی لایه های نازک CdTe و اثر دمای زیرلایه

CdTe thin films grown by pulsed laser deposition

using powder as target: Effect of substrate temperature

لایه های نازک CdTe رشد کرده به روش رسوب دهی لیزر پالسی و با استفاده از

پودر به عنوان ماده هدف : اثر دمای زیرلایه

ABSTRACT

CdTe thin films were deposited by pulsed laser deposition on Corning glass slides using CdTe powder as target. Films were grown at substrate temperatures ranging from room temperature (~25 °C) to 300 °C. The structural, compositional and optical properties were analyzed as a function of substrate temperature. X-ray diffraction shows that CdTe films grown at room temperature have hexagonal phase, while for higher temperatures the films have cubic phase. Raman and EDS indicate that films grew with Te excess, which suggests that CdTe films have p-type conductivity.

   

 جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .

چکیده

لایه های نازک CdTe به روش رسوب دهی لیزر پالسی روی صفحات شیشه ای Corning و با استفاده از پودر CdTe به عنوان ماده هدف، لایه نشانی (رسوب نشانی) شدند. لایه ها روی یک زیرلایه در بازه دمای محیط (تقریباً C°25) الی C°300 رشد کردند. ساختار، ترکیب و خواص نوری، به عنوان تابعی از دمای زیرلایه مورد آنالیز قرار گرفت. طیف پراش اشعه X نشان می دهد  لایه هایی که در دمای محیط رشد کرده اند، دارای فاز هگزاگونال می باشند، در حالیکه در دماهای بالاتر، لایه های رشد کرده دارای فاز مکعبی (کوبیک) می باشند. Raman و EDS نشان می دهند که لایه ها با Te اضافی رشد می کنند، که نشان می دهد که لایه های CdTe دارای رسانش از نوع p می باشند.