سنتز لایه های نازک نانوکریستالی CdTe به روش تبخیر حرارتی در خلأ

Synthesis, electrical properties and transport mechanisms

of thermally vacuum evaporated CdTe nanocrystalline thin films

سنتز، خواص الکتریکی و مکانیزم های انتقال لایه های نازک نانوکریستالی CdTe

به روش تبخیر حرارتی در خلأ

ABSTRACT

A stoichiometry CdTe nano-structured powder was synthesized by chemical process. Thin films of different thicknesses (40, 60, and 100 nm) of CdTe were prepared by thermal evaporation method onto silicon substrates. Current–voltage (I–V) and capacitance–voltage (C–V) characteristics of CdTe nanocrystalline thin films deposited on p-Si as heterojunction have been investigated. At low voltages, current in the forward direction was found to obey the diode equation and the conduction was controlled by thermionic emission mechanism. Also, various electrical parameters were determined from the I–V and C–V analysis. The thickness dependence of the obtained capacitance–voltage (C–V) characteristics was also considered.

    جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .

چکیده

پودر نانوساختار استوکیومتری CdTe به روش شیمیایی سنتز شد. لایه های نازک CdTe با ضخامت های مختلف (40، 60 و 100 نانومتر) با روش تبخیر حرارتی روی زیرلایه های سیلیکونی ساخته شدند. شاخصه های جریان- ولتاژ (I-V) و ولتاژ- توان (C-V) لایه های نازک نانوکریستالی CdTe رسوب نشانی شده روی p-Si به عنوان heterojunction بررسی شد. در ولتاژهای پایین، مشخص شد جریان مستقیم از معادله دیود پیروی می کند و هدایت توسط مکانیزم نشر گرمایونی کنترل می گردد. همچنین پارامترهای الکتریکی مختلف از روی آنالیز I-V و C-V تعیین گردید. بستگی ضخامت به ولتاژ- توان (C-V) نیز بررسی شد.