سنتز دما پایین فیلم های نازک ZnO دوپ شده با سدیم و آلومینیوم

Low temperature synthesis wide optical band gap Al and

Al, Na) co-doped ZnO thin films)

سنتز دما پایین فیلم های نازک ZnO داپ همزمان شده با Al و Na

با باندگپ نوری گسترده

ABSTRACT

With a wide bandgap of 3.37 eV and a large exciton binding energy of 60meV at room temperature, zinc oxide (ZnO), like GaN, is considered as an important material for blue and ultra-violet optical devices. Its research interest arisen again since 1957, the New Jersey Zinc Company published a book entitled “Zinc Oxide Rediscovered” to promote the material’s “frontier” properties (such as semiconductor, luminescent, catalytic, ferrite, photoconductive, and photochemical properties) and illustrative applications. Recently, research focused mainly on fabrication of high quality single crystals and epitaxial layers, in order to fully realize ZnObased electronic and optoelectronic devices.

 

    جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .

چکیده

اکسید روی (ZnO)، همانند GaN، با باندگپ گسترده ی eV 3.37 و انرژی اتصال تهییج بزرگ برابر با meV 60 به عنوان یک ماده مهم برای دستگاه های اپتیکی آبی و فرابنفش در نظر گرفته می شوند. این ماده مجددا در سال 1957 مورد توجه تحقیقات قرار گرفت و شرکت روی (( New Jersey  کتابی با عنوان "Zinc Oxide Rediscovered"  برای ترویج خواص مرزی مواد (مانند خواص نیمه رسانایی، لومینانس، کاتالیستی، فریتی، رسانایی نور، و فوتوشیمیایی) و کاربردهای اصلی آن‌ها، منتشر کرد. اخیرا، تحقیقات اساسا بر تولید تک کریستال هایی با کیفیت بالا و لایه های هم بافته متمرکز شده است، تا به دستگاه های الکترونیکی و الکترونیک نوری با زمینه ZnO به طور کامل پی ببرند.