اثر فشار اکسیژن بر خواص فیلم های ZnO دوپ شده با Nb

Influence of oxygen pressure on the structural, electrical and optical

properties of Nb-doped ZnO thin films prepared

by pulsed laser deposition

اثر فشار اکسیژن بر خواص ساختاری، الکتریکی و نوری فیلم های ZnO

دوپ شده با Nb آماده شده توسط لایه نشانی لیزری پالسی

ABSTRACT

Nb-doped zinc oxide (NZO) transparent conductive thin films with highly (0 0 2)-preferred orientation were deposited on glass substrates by pulsed laser deposition method in oxygen ambience under different oxygen pressures. The as-deposited films were characterized by X-ray diffraction (XRD), Field emission-scanning electron microscopy (FE-SEM), electrical and optical characterization techniques. It was found that a desirable amount of oxygen can reduce the related defect scattering and enhance the carrier mobility. The resistivity and average optical transmittance of the NZO thin films are of 10−4 Ω cm and over 88%, respectively. The lowest electrical resistivity of the film is found to be about 4.37 × 10−4 Ω cm. In addition, the influence of oxygen pressure on optical properties in NZO thin films was systematically studied as well.

 

 

چکیده

فیلم های نازک رسانای شفاف اکسید روی دوپ شده با Nb (ZnO) با جهت گیری بشدت ترجیحی (002) روی زیرلایه شیشه ای توسط روش لیزری پالسی در محیط اکسیژن و در فشارهای اکسیژن مختلف، لایه نشانی شد. فیلم های لایه نشانی شده بوسیله پراش پرتوی ایکس (XRD)، میکروسکوپ روبشی گسیل میدانی (FE-SEM) و روش های نوری و الکتریکی، مشخصه یابی شدند. نتایج نشان داد که یک مقدار مطلوب از اکسیژن می تواند تفرق نقص مربوطه را کاهش داده و حرکت حامل را ارتقا دهد. ضریب مقاومت و مقدار عبور نوری متوسط لایه های نازک NZO به ترتیب برابر با Ωcm 10-4 و 88 درصد می باشند. کمترین ضریب مقاومت الکتریکی فیلم، Ωcm 4.37×10-4 می باشد. بعلاوه، اثر فشار اکسیژن روی خواص نوری در لایه های نازک NZO نیز بطور اصولی مطالعه شد.   

 جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .

برچسب‌ها: مقالات متالورژی, مقالات مهندسی مواد, ترجمه مهندسی مواد, ترجمه مقالات, مواد کامپوزیتی